RTP快速热处理设备

快速热处理设备(RTP)可用于GaAs、Si以及其他半导体材料离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP-2型快速合金设备具有快速升降温、慢速升降温和长时间工作稳定等特点。也可用于各种半导体材料CVD工艺的热处理。

产品详情

主要技术指标:
a、工作温度范围:150℃~800℃
b、升温速率:0.01℃~80℃/s,可设定
c、密封石英腔尺寸:290mmx230mmx18mm
d、载物台:ф160mm,适用于6英寸晶片
e、欧陆程序控制,可设置任意大小的升温曲线,编程及操作十分方便灵活,控制精度高,快速升温过冲小
f、不锈钢反应室上下反射面聚焦设计,表面镀金,增加热反射,减少热散失,极大提高加热效率,有利于快速升温
g、整个炉体采用水冷却,确保炉体散热和快速降温。